Wafer de SiC
A OST Photonics fornece bolachas de SiC para a indústria de semicondutores. Pode escolher entre dois tipos de condução de materiais de SiC: 4H-SiC do tipo N...
Wafer de SiC
A OST Photonics fornece wafers de SiC para a indústria de semicondutores. Pode escolher entre dois tipos de condução de materiais SiC: 4H-SiC de tipo N (tipo de condutividade) e 4H-SiC semi-isolante de elevada pureza (HPSI). Os wafers de SiC semi-isolante de elevada pureza são utilizados sobretudo em aplicações de comunicação 5G. Apresentam as vantagens de melhorar a gama de radiofrequência, o reconhecimento a distâncias muito longas, a imunidade a interferências, a elevada velocidade...
- FabricanteOST Photonics
- CategoriaWafer e substrato de cristal
- Prazo de entregaOrçamentado por encomenda
- PersonalizaçãoDimensão, orientação e acabamento superficial conforme desenho
A OST Photonics fornece wafers de SiC para a indústria de semicondutores. Pode escolher entre dois tipos de condução de materiais SiC: 4H-SiC de tipo N (tipo de condutividade) e 4H-SiC semi-isolante de elevada pureza (HPSI). Os wafers de SiC semi-isolante de elevada pureza são utilizados sobretudo em aplicações de comunicação 5G. Apresentam as vantagens de melhorar a gama de radiofrequência, o reconhecimento a distâncias muito longas, a imunidade a interferências e a transmissão de informação de alta velocidade e grande capacidade, sendo considerados o material mais indicado para o fabrico de dispositivos de potência de micro-ondas. O wafer de SiC de tipo N é utilizado sobretudo em veículos de nova energia, subestações de transmissão e transformação de alta tensão, eletrodomésticos da linha branca, comboios de alta velocidade, motores, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação por impulsos e outros domínios; tem as vantagens de reduzir as perdas de energia do equipamento, aumentar a sua fiabilidade, reduzir o seu volume e melhorar o seu desempenho, entre outras, apresentando vantagens insubstituíveis na produção de dispositivos eletrónicos de potência.
Especificações dos wafers de 4H-SiC de tipo N (tipo de condutividade)
| Bolachas de 4H-SiC de tipo N (tipo de condutividade) | ||||
| Diâmetro | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| Espessura | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| Orientação da superfície | Fora de eixo:<0001> 4 ° na direção de <11- 20> ± 0 . 5° | |||
| Orientação do plano primário | Paralelo a <1 1 -20 > ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| Comprimento do plano primário | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | Entalhe |
| Orientação do plano secundário | Face de silício para cima: 90.0 ˚ no sentido horário a partir do primário ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| Comprimento do plano secundário | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| Resistividade | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| Face frontal | Face Si : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| Face posterior | C-Face : polimento óptico, Ra<0 . 5nm | |||
| Marcação a laser | Face posterior : face C | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| CURVATURA | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| EMPENO | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| Exclusão de borda | ≤ 3 mm |
Especificações dos wafers de 4H-SiC semi-isolante de elevada pureza (HPSI)
| Bolachas 4H-SiC semi-isolantes de elevada pureza (HPSI) | |||||
| Diâmetro | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| Espessura | 500μ m (DSP) | ||||
| Orientação da superfície | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| Orientação do plano primário | < 1- 100 > ±1° | ||||
| Comprimento do plano primário | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | Entalhe | Entalhe |
| Orientação do plano secundário | Face de silício para cima: 90.0 ˚ no sentido horário a partir do primário ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| Comprimento do plano secundário | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| Resistividade | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| Face frontal | Face Si: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| Face posterior | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face polido.Ra＜5nm | |||
| Marcação a laser | Face posterior: face C | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| CURVATURA | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| EMPENO | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| Exclusão de borda | ≤ 3 mm |
Especificações dos wafers de SiC de politipos especiais
| Wafers de SiC de politipos especiais (6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| Dimensões | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| Espessura | 350μm(DSP) | ||
| Politipo | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| Orientação da superfície (6H-N/4H-P/6H-P) | Fora de eixo: 0 . 0 °- 8 . 0 °na direção de < 11 – 20 > ± 0 . 5° | ||
| Orientação da superfície (3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| Resistividade (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| Resistividade (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| Face frontal | Face Si: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| Face posterior | C-Face: polimento óptico, Ra< 1 .0 nm | ||
| Marcação a laser | Face posterior : face C- | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| CURVATURA | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| EMPENO | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
Especificações dos wafers ultrafinos de 4H-SiC semi-isolante de elevada pureza (HPSI)
| Bolacha ultrafina HPSI 4H-SiC | |||
| Diâmetro | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| Dimensões | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| Espessura | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| Orientação da superfície | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| Orientação do plano primário | < 1- 100> ±1° | ||
| Comprimento do plano primário | 16.0 mm | 32 .5mm | Entalhe |
| Orientação do plano secundário | Face de silício para cima: 90.0 ˚ no sentido horário a partir do primário ± 5.0˚ | N/A | |
| Comprimento do plano secundário | 8mm | 18 mm | N/A |
| Resistividade | > 1 E7 Ω .cm | ||
| Acabamento da superfície | Polido, Ra≤ 10nm | Ultrafino, Ra<20nm | |
| Marcação a laser | Face posterior: face C | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| Exclusão de borda | ≤ 3 mm |
Propriedades do monocristal de SiC
| Monocristal de carboneto de silício | |
| Estrutura cristalina | Cristal hexagonal |
| Banda proibida (eV) | 3 .26 eV |
| Ponto de fusão (℃) | 2730 ℃ |
| Dureza Mohs (mohs) | 9.2 |
| Condutividade térmica (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| Coeficiente de dilatação térmica (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| Constante de rede (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| Mobilidade electrónica (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| Campo disruptivo (MV· cm^-1) | 3.1 |
| Índice JFM (potência) | 410 |
| Índice BFM (SW) | 290 |
| Índice BHFM (RF) | 34 |
| Índice de refração | 2.6767 ~ 2.6480 |
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