رقاقة SiC
توفّر OST Photonics رقائق SiC لصناعة أشباه الموصلات. ويتاح نوعان من التوصيل لمواد SiC للاختيار بينهما: 4H-SiC من النوع N...
رقاقة SiC
توفّر OST Photonics رقائق SiC لصناعة أشباه الموصلات. ويوجد نوعان من التوصيل لمواد SiC للاختيار بينهما: 4H-SiC من النوع N (نوع الموصلية) و4H-SiC شبه العازل عالي النقاء (HPSI). وتُستخدم رقائق SiC شبه العازلة عالية النقاء أساساً في تطبيقات اتصالات 5G. وتتميز بتحسين نطاق التردد الراديوي، والتعرّف على مسافات فائقة الطول، ومقاومة التشويش، والسرعة العالية...
- الشركة المصنّعةOST Photonics
- الفئةرقاقة وركيزة بلورية
- مهلة التسليمتُحدَّد مع كل طلب
- التخصيصالمقاس والاتجاه البلوري وتشطيب السطح حسب الرسم
توفّر OST Photonics رقائق SiC لصناعة أشباه الموصلات. ويوجد نوعان من التوصيل لمواد SiC للاختيار بينهما: 4H-SiC من النوع N (نوع الموصلية) و4H-SiC شبه العازل عالي النقاء (HPSI). وتُستخدم رقائق SiC شبه العازلة عالية النقاء أساساً في تطبيقات اتصالات 5G. وتتميز بتحسين نطاق التردد الراديوي، والتعرّف على مسافات فائقة الطول، ومقاومة التشويش، ونقل المعلومات عالي السرعة وكبير السعة، وتُعد المادة المثالية لصناعة أجهزة القدرة الميكروية. أما رقاقة SiC من النوع N فتُستخدم أساساً في مركبات الطاقة الجديدة، ومحطات نقل وتحويل الجهد العالي، والأجهزة المنزلية الكبيرة، والقطارات فائقة السرعة، والمحركات، وعواكس الطاقة الكهروضوئية، ومصادر القدرة النبضية وغيرها من المجالات، وتتميز بخفض فقد الطاقة في المعدات، وتحسين موثوقيتها، وتقليل حجمها، وتحسين أدائها وغير ذلك، ولها مزايا لا بديل عنها في إنتاج أجهزة إلكترونيات القدرة.
مواصفات رقائق 4H-SiC من النوع N (نوع التوصيلية)
| رقائق 4H-SiC من النوع N (نوع التوصيلية) | ||||
| القطر | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| السماكة | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| اتجاه السطح | خارج المحور:<0001> 4 ° باتجاه <11- 20> ± 0 . 5° | |||
| اتجاه المسطّح الرئيسي | مواز لـ <1 1 -20 > ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| طول المسطّح الرئيسي | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | حزّ |
| اتجاه المسطّح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90.0 ˚ باتجاه عقارب الساعة من المسطّح الرئيسي ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| طول المسطّح الثانوي | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| المقاومية | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| السطح الأمامي | وجه Si : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| السطح الخلفي | C-Face : تلميع بصري، Ra<0 . 5nm | |||
| الوسم بالليزر | الوجه الخلفي : الوجه C | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| الانحناء | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| الالتواء | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| استبعاد الحافة | ≤ 3 mm |
مواصفات رقائق 4H-SiC شبه العازلة عالية النقاء (HPSI)
| رقائق 4H-SiC شبه العازلة عالية النقاء (HPSI) | |||||
| القطر | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| السماكة | 500μ m (DSP) | ||||
| اتجاه السطح | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| اتجاه المسطّح الرئيسي | < 1- 100 > ±1° | ||||
| طول المسطّح الرئيسي | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | حزّ | حزّ |
| اتجاه المسطّح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90.0 ˚ باتجاه عقارب الساعة من المسطّح الرئيسي ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| طول المسطّح الثانوي | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| المقاومية | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| السطح الأمامي | وجه Si: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| السطح الخلفي | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face ملمّع.Ra＜5nm | |||
| الوسم بالليزر | الوجه الخلفي: الوجه C | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| الانحناء | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| الالتواء | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| استبعاد الحافة | ≤ 3 mm |
مواصفات رقائق SiC ذات أنماط تعدد شكلي خاصة
| رقائق SiC ذات أنماط تعدد شكلي خاصة (6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| الأبعاد | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| السماكة | 350μm(DSP) | ||
| النمط البلوري | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| اتجاه السطح (6H-N/4H-P/6H-P) | خارج المحور: 0 . 0 °- 8 . 0 °باتجاه < 11 – 20 > ± 0 . 5° | ||
| اتجاه السطح (3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| المقاومية (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| المقاومية (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| السطح الأمامي | وجه Si: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| السطح الخلفي | C-Face: تلميع بصري، Ra< 1 .0 nm | ||
| الوسم بالليزر | الوجه الخلفي : الوجه -C | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| الانحناء | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| الالتواء | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
مواصفات رقائق 4H-SiC فائقة الرقة شبه العازلة عالية النقاء (HPSI)
| رقاقة HPSI 4H-SiC فائقة الرقة | |||
| القطر | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| الأبعاد | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| السماكة | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| اتجاه السطح | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| اتجاه المسطّح الرئيسي | < 1- 100> ±1° | ||
| طول المسطّح الرئيسي | 16.0 mm | 32 .5mm | حزّ |
| اتجاه المسطّح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90.0 ˚ باتجاه عقارب الساعة من المسطّح الرئيسي ± 5.0˚ | N/A | |
| طول المسطّح الثانوي | 8mm | 18 mm | N/A |
| المقاومية | > 1 E7 Ω .cm | ||
| تشطيب السطح | مصقول، Ra≤ 10nm | فائق الرقة، Ra<20nm | |
| الوسم بالليزر | الوجه الخلفي: الوجه C | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| استبعاد الحافة | ≤ 3 mm |
خصائص أحادي بلورة SiC
| بلورة أحادية من كربيد السيليكون | |
| البنية البلورية | بلورة سداسية |
| فجوة النطاق (eV) | 3 .26 eV |
| درجة الانصهار (℃) | 2730 ℃ |
| صلادة موس (mohs) | 9.2 |
| الموصلية الحرارية (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| معامل التمدد الحراري (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| ثابت الشبكة البلورية (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| حركية الإلكترونات (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| مجال الانهيار (MV· cm^-1) | 3.1 |
| مؤشر JFM (القدرة) | 410 |
| مؤشر BFM (SW) | 290 |
| مؤشر BHFM (RF) | 34 |
| معامل الانكسار | 2.6767 ~ 2.6480 |
مواد أخرى للرقائق والركائز البلورية
طلب عرض سعر لـرقاقة SiC
أرسلوا إلينا الأبعاد والاتجاه البلوري وتشطيب السطح والكمية. يرد مهندسونا بعرض فني وسعر.
أسئلة المشترين
ما هو اتجاه السطح لرقاقة SiC؟
ما هي المقاومية لرقاقة SiC؟
ما هو السطح الأمامي لرقاقة SiC؟
ما هو السطح الخلفي لرقاقة SiC؟
كيف يمكنني الحصول على عرض سعر لمنتج رقاقة SiC؟
هل يمكن تصنيع رقاقة SiC وفقًا لمواصفات مخصصة؟
من يصنع رقاقة SiC؟
أخبرنا بما تحتاج إليه
أرسلوا المواصفات والكمية وميناء الوصول. يرد مهندسونا بعرض فني ومهلة تسليم مؤكدة.