Wafer de quartzo monocristalino de grau óptico
A OST Photonics fornece bolachas monocristalinas de quartzo de grau óptico em vários tamanhos e espessuras, com diâmetros de bolacha de 1 a 4 polegadas,...
Wafer de quartzo monocristalino de grau óptico
A OST Photonics fornece wafers monocristalinos de quartzo de grau ótico em diversos tamanhos e espessuras, com diâmetros de wafer de 1 a 4 polegadas; a espessura pode ser personalizada de acordo com os seus requisitos (em geral, superior a 0.05 mm). As orientações podem ser de corte X/Y/Z, entre outras. Além disso, também estão disponíveis pré-formas de quartzo de alta qualidade (incluindo quartzo levógiro).
- FabricanteOST Photonics
- CategoriaWafer e substrato de cristal
- Prazo de entregaOrçamentado por encomenda
- PersonalizaçãoDimensão, orientação e acabamento superficial conforme desenho
Especificações dos wafers monocristalinos de quartzo de grau óptico
| Material | Cristal de quartzo | |
| Ângulo de corte | X/Y/Z-cut etc | |
| Diâmetro | 1”(25.4mm)~4”(100mm) | |
| Tolerância de diâmetro (±) | ≤0.20 mm | |
| Espessura | 0.05mm or more | |
| LTV (5mmx5mm) | <1µm | |
| TTV | <3µm | |
| Curvatura | -30<bow<30 | |
| Empeno | <40µm | |
| Tipo de superfície | Polido de um lado(SSP)/polido dos dois lados(DSP) | |
| Ra da face polida | <0.5nm | |
| Critérios da face posterior | Geralmente 0,2-0,5µm ou conforme personalização | |
| Scratch/Dig | Melhor que 40/20 | |
| Critérios de bordo | Em conformidade com a norma SEMI M1.2 / de acordo com IEC62276 | |
| Propriedade do material | ECD | Melhor que o grau 4 |
| Inclusão | Melhor que o grau I | |
| Valor Q | Melhor que o grau C | |
| Critérios de superfície da bolacha | Partículas φ>0.3 µm | <= 30 |
| Riscos, lascas | Nenhum | |
| Defeito | Sem fissuras de bordo, riscos, marcas de serra ou manchas | |
| Embalagem | Qtd./caixa de bolachas | 25pcs per box |
Parâmetros das pré-formas monocristalinas de quartzo de grau ótico
| Material | Grau | Dimensão | Inclusão | Valor Q | Homogeneidade ótica |
| Quartzo | Ótico | Z: 135mmX: 150mmY: 240-280mm | IEC Classe I | >2.40 million | 1*10^-5 |
| Quartzo | Laser | Z<40mmX<110mmY< 200mm | Melhor que IEC Claas IA | >2.40 million | 5*10^-6 |
Propriedades dos wafers monocristalinos de quartzo de grau óptico
| Density, g/cm3 | 2.65 |
| Ponto de fusão, °C | 1467 |
| Condutividade térmica, W/(m x K) (T = 25°C) | 10.7 (paralelo ao eixo Z) 6.2 (perpendicular ao eixo Z) |
| Coeficiente térmico de dilatação linear na faixa de temperatura 0-25°Ñ, °C^-1 | 7.1 õ 10^-6 (paralelo ao eixo Z) |
| 13.2 õ 10^-6 (perpendicular ao eixo Z) | |
| Dureza (Mohs) | 7 |
| Capacidade térmica específica, J/(kg x K) (T = 25°C) | 710 |
| Constante dielétrica a 30 MHz | 4.34 (paralelo ao eixo Z) 4.27 (perpendicular ao eixo Z) |
| Módulo de Young (E), GPa | 97.2 (paralelo ao eixo Z) 76.5 (perpendicular ao eixo Z) |
| Módulo de corte (G), GPa | 31.14 |
| Módulo de compressibilidade (K), GPa | 36.4 |
| Estabilidade química | insolúvel em água |
| Coeficientes elásticos | C11=87 C12=7 C44=58 C13=13 C14=18 C33=106 |
Índice de refração do quartzo cristalino sintético em função do comprimento de onda
| l, mm | n0 | ne | l, mm | n0 | ne | l, mm | n0 | ne |
| 0.185 | 1.676 | 1.69 | 0.243 | 1.605 | 1.617 | 0.589 | 1.544 | 1.553 |
| 0.194 | 1.66 | 1.673 | 0.263 | 1.593 | 1.604 | 1.083 | 1.534 | 1.543 |
| 0.204 | 1.643 | 1.656 | 0.291 | 1.581 | 1.591 | 1.8 | 1.524 | 1.532 |
| 0.219 | 1.625 | 1.637 | 0.34 | 1.567 | 1.577 | 2.5 | 1.512 | 1.52 |
| 0.231 | 1.614 | 1.626 | 0.405 | 1.557 | 1.567 | 3 | 1.5 | 1.507 |
Avaliação da qualidade do cristal de quartzo sintético
a) A quantidade de defeitos cristalinos e impurezas no cristal de quartzo sintético depende da velocidade de crescimento, do mineralizador e da matéria-prima. A velocidade de crescimento afeta fortemente propriedades importantes como o coeficiente de absorção no infravermelho α, que se correlaciona com o valor Q, e as características de frequência-temperatura. Uma velocidade de crescimento maior provoca aumento de α, diminuição do valor Q e dispersão nas características de frequência-temperatura.
b) O índice de qualidade do cristal de quartzo sintético era originalmente o valor Q, e para o obter utilizava-se uma unidade de cristal de quartzo de 5 MHz operada no modo de 5.º sobretom. Contudo, fabricar a unidade de cristal de 5 MHz exigia um trabalho laborioso, pelo que o índice foi alterado para o coeficiente α em vez do valor Q.
Avaliação da qualidade do cristal de quartzo sintético
a) Maclagem: não deve existir maclagem elétrica nem óptica na região utilizável.
b) Tensão: não deve existir tensão no interior nem na superfície do cristal semente, nem no cristal de quartzo crescido.
c) Fissuras e fraturas: não deve haver fissuras, lascas ou fraturas na região utilizável.
d) Densidade de inclusões: a especificação está em conformidade com a norma IEC 60758.
| Gama de dimensões | Quantidade por cm^3 | |||
| Grau (µm) | 10 to 30 | 30 to 70 | 70 to 100 | >100 |
| Ia | 2 | 1 | 0 | 0 |
| Ib | 3 | 2 | 1 | 1 |
| I | 6 | 4 | 2 | 2 |
| II | 9 | 5 | 4 | 3 |
| III | 12 | 8 | 6 | 4 |
e) Indicação de qualidade no infravermelho: a especificação está em conformidade com a norma IEC 60758.
| Grau | Max. α3585 | Valores Q estimados (x 10^6) |
| A | 0.015 | 3.8 |
| A | 0.024 | 3 |
| B | 0.05 | 2.4 |
| C | 0.069 | 1.8 |
| D | 0.1 | 1.4 |
f) Densidade de canais de ataque químico: a especificação está em conformidade com a norma IEC 60758.
| Grau | N.º máx. por cm^3 |
| 1 | 10 |
| 2 | 30 |
| 3 | 100 |
| 4 | 300 |
| 5 | 600 |
Especificação do cristal de quartzo desbastado (lumbered)
a) Ângulos:
i. Ângulo de rotação da superfície X em torno do eixo Y: 00°00’±15’
ii. Ângulo de rotação da superfície X em torno do eixo Z: 00°00’±15’
b) Tolerância dimensional:
i. Ao longo do eixo X ou Z: ±0.1 mm
ii. Ao longo do eixo Y: ±10 mm
c) Rugosidade superficial: conforme personalização; disponível tanto lapidada como polida.

Outros materiais de wafers e substratos de cristal
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Perguntas dos compradores
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