Пластина SiC
OST Photonics поставляет пластины SiC для полупроводниковой промышленности. Доступны два типа проводимости материалов SiC: 4H-SiC N-типа...
Пластина SiC
OST Photonics предлагает пластины SiC для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа проводимости материалов SiC: 4H-SiC N-типа (тип проводимости) и полуизолирующий 4H-SiC высокой чистоты (HPSI). Полуизолирующие пластины SiC высокой чистоты применяются главным образом в системах связи 5G. Их преимущества — расширение радиочастотного диапазона, распознавание на сверхбольших расстояниях, помехоустойчивость, высокая скорост...
- ИзготовительOST Photonics
- КатегорияКристаллические пластины и подложки
- Срок поставкиОпределяется по каждому заказу
- ИзготовлениеРазмер, ориентация и обработка поверхности по чертежу
OST Photonics предлагает пластины SiC для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа проводимости материалов SiC: 4H-SiC N-типа (тип проводимости) и полуизолирующий 4H-SiC высокой чистоты (HPSI). Полуизолирующие пластины SiC высокой чистоты применяются главным образом в системах связи 5G. Их преимущества — расширение радиочастотного диапазона, распознавание на сверхбольших расстояниях, помехоустойчивость, высокоскоростная передача информации большого объёма; они считаются наиболее подходящим материалом для изготовления СВЧ-приборов большой мощности. Пластины SiC N-типа применяются главным образом в электромобилях на новых источниках энергии, высоковольтных передающих и трансформаторных подстанциях, бытовой технике, высокоскоростных поездах, электродвигателях, фотоэлектрических инверторах, импульсных источниках питания и в других областях; их преимущества — снижение потерь энергии в оборудовании, повышение надёжности оборудования, уменьшение его габаритов, повышение эксплуатационных характеристик и т. д.; они обладают незаменимыми преимуществами при производстве силовых электронных приборов.
Технические характеристики пластин 4H-SiC n-типа (тип проводимости)
| Пластины 4H-SiC типа N (тип проводимости) | ||||
| Диаметр | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| Толщина | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| Ориентация поверхности | Разориентация:<0001> 4 ° в сторону <11- 20> ± 0 . 5° | |||
| Ориентация основного среза | Параллельно <1 1 -20 > ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| Длина основного среза | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | Метка (notch) |
| Ориентация дополнительного среза | Кремниевой стороной вверх: 90.0 ˚ по часовой стрелке от основного среза ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| Длина дополнительного среза | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| Удельное сопротивление | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| Лицевая сторона | Сторона Si : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| Обратная сторона | C-Face : оптическая полировка, Ra<0 . 5nm | |||
| Лазерная маркировка | Обратная сторона : грань C | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| ПРОГИБ | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| КОРОБЛЕНИЕ | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| Исключаемая краевая зона | ≤ 3 mm |
Технические характеристики высокочистых полуизолирующих (HPSI) пластин 4H-SiC
| Высокочистые полуизолирующие (HPSI) пластины 4H-SiC | |||||
| Диаметр | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| Толщина | 500μ m (DSP) | ||||
| Ориентация поверхности | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| Ориентация основного среза | < 1- 100 > ±1° | ||||
| Длина основного среза | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | Метка (notch) | Метка (notch) |
| Ориентация дополнительного среза | Кремниевой стороной вверх: 90.0 ˚ по часовой стрелке от основного среза ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| Длина дополнительного среза | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| Удельное сопротивление | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| Лицевая сторона | Сторона Si: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| Обратная сторона | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face полированная.Ra＜5nm | |||
| Лазерная маркировка | Обратная сторона: C-плоскость | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| ПРОГИБ | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| КОРОБЛЕНИЕ | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| Исключаемая краевая зона | ≤ 3 mm |
Технические характеристики пластин SiC специальных политипов
| Пластины SiC специальных политипов (6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| Размеры | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| Толщина | 350μm(DSP) | ||
| Политип | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| Ориентация поверхности (6H-N/4H-P/6H-P) | Разориентация: 0 . 0 °- 8 . 0 °в сторону < 11 – 20 > ± 0 . 5° | ||
| Ориентация поверхности (3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| Удельное сопротивление (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| Удельное сопротивление (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| Лицевая сторона | Сторона Si: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| Обратная сторона | C-Face: оптическая полировка, Ra< 1 .0 nm | ||
| Лазерная маркировка | Обратная сторона : грань C- | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| ПРОГИБ | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| КОРОБЛЕНИЕ | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
Технические характеристики сверхтонких высокочистых полуизолирующих (HPSI) пластин 4H-SiC
| Сверхтонкая пластина HPSI 4H-SiC | |||
| Диаметр | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| Размеры | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| Толщина | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| Ориентация поверхности | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| Ориентация основного среза | < 1- 100> ±1° | ||
| Длина основного среза | 16.0 mm | 32 .5mm | Метка (notch) |
| Ориентация дополнительного среза | Кремниевой стороной вверх: 90.0 ˚ по часовой стрелке от основного среза ± 5.0˚ | N/A | |
| Длина дополнительного среза | 8mm | 18 mm | N/A |
| Удельное сопротивление | > 1 E7 Ω .cm | ||
| Качество обработки поверхности | Полированная, Ra≤ 10nm | Сверхтонкий, Ra<20nm | |
| Лазерная маркировка | Обратная сторона: C-плоскость | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| Исключаемая краевая зона | ≤ 3 mm |
Свойства монокристалла SiC
| Монокристалл карбида кремния | |
| Кристаллическая структура | Гексагональный кристалл |
| Ширина запрещённой зоны (eV) | 3 .26 eV |
| Температура плавления (℃) | 2730 ℃ |
| Твёрдость по Моосу (mohs) | 9.2 |
| Теплопроводность (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| Коэффициент теплового расширения (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| Постоянная решётки (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| Подвижность электронов (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| Пробивное поле (MV· cm^-1) | 3.1 |
| Индекс JFM (мощность) | 410 |
| Индекс BFM (SW) | 290 |
| Индекс BHFM (RF) | 34 |
| Показатель преломления | 2.6767 ~ 2.6480 |
Другие материалы кристаллических пластин и подложек
Запросить цену: Пластина SiC
Пришлите нам размеры, ориентацию, обработку поверхности и количество. Наши инженеры отвечают техническим предложением и ценой.
Вопросы покупателей
Какова ориентация поверхности пластины SiC?
Каково удельное сопротивление пластины SiC?
Какова лицевая поверхность пластины SiC?
Какова обратная поверхность пластины SiC?
Как получить коммерческое предложение на Пластина SiC?
Возможно ли изготовление по индивидуальному заказу: Пластина SiC?
Кто производит пластину SiC?
Расскажите, что вам нужно
Пришлите спецификацию, количество и порт назначения. Наши инженеры отвечают техническим предложением и подтверждённым сроком поставки.