SiC 웨이퍼
OST Photonics는 반도체 산업용 SiC 웨이퍼를 공급합니다. SiC 재료의 전도 유형은 두 가지 중에서 선택할 수 있습니다: N형 4H-SiC...
SiC 웨이퍼
OST Photonics는 반도체 산업용 SiC 웨이퍼를 공급합니다. SiC 소재는 두 가지 전도 유형 중에서 선택할 수 있습니다: N형 4H-SiC(전도형)와 고순도 반절연(HPSI) 4H-SiC. 고순도 반절연 SiC 웨이퍼는 주로 5G 통신 분야에 사용됩니다. 무선주파수 대역 향상, 초장거리 인식, 간섭 방지, 고속...
- 제조사OST Photonics
- 분류결정 웨이퍼 및 기판
- 납기주문 건별 제시
- 맞춤 제작도면에 따른 치수, 결정 방위 및 표면 가공
OST Photonics는 반도체 산업용 SiC 웨이퍼를 공급합니다. SiC 소재는 두 가지 전도 유형 중에서 선택할 수 있습니다: N형 4H-SiC(전도형)와 고순도 반절연(HPSI) 4H-SiC. 고순도 반절연 SiC 웨이퍼는 주로 5G 통신 분야에 사용됩니다. 무선주파수 대역 향상, 초장거리 인식, 간섭 방지, 고속·대용량 정보 전송이라는 장점이 있어 마이크로파 전력 소자 제작에 가장 이상적인 소재로 평가됩니다. N형 SiC 웨이퍼는 주로 신에너지 자동차, 고압 송변전소, 백색가전, 고속철도, 전동기, 태양광 인버터, 펄스 전원 등의 분야에 사용되며, 기기의 에너지 손실 감소, 신뢰성 향상, 부피 축소, 성능 개선 등의 장점이 있어 전력전자 소자 생산에서 대체 불가능한 이점을 가집니다.
N형 4H-SiC 웨이퍼(전도형)의 사양
| N형 4H-SiC 웨이퍼 (전도 유형) | ||||
| 직경 | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| 두께 | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| 표면 방위 | 오프액시스:<0001> 4 ° <11- 20> 방향 ± 0 . 5° | |||
| 주 플랫 방위 | <1 1 -20 >에 평행 ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| 주 플랫 길이 | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | 노치 |
| 보조 플랫 방위 | 실리콘 면 위로: 주 플랫 기준 시계 방향 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| 보조 플랫 길이 | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| 비저항 | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| 전면 | Si면 : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| 후면 | C-Face : 광학 연마, Ra<0 . 5nm | |||
| 레이저 마킹 | 뒷면 : C 면 | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| 보우 | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| 워프 | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| 에지 제외 영역 | ≤ 3 mm |
고순도 반절연성(HPSI) 4H-SiC 웨이퍼의 사양
| 고순도 반절연(HPSI) 4H-SiC 웨이퍼 | |||||
| 직경 | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| 두께 | 500μ m (DSP) | ||||
| 표면 방위 | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| 주 플랫 방위 | < 1- 100 > ±1° | ||||
| 주 플랫 길이 | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | 노치 | 노치 |
| 보조 플랫 방위 | 실리콘 면 위로: 주 플랫 기준 시계 방향 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| 보조 플랫 길이 | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| 비저항 | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| 전면 | Si면: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| 후면 | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face 연마.Ra＜5nm | |||
| 레이저 마킹 | 후면: C면 | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| 보우 | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| 워프 | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| 에지 제외 영역 | ≤ 3 mm |
특수 폴리타입 SiC 웨이퍼의 사양
| 특수 폴리타입 SiC 웨이퍼(6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| 치수 | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| 두께 | 350μm(DSP) | ||
| 폴리타입 | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| 표면 방위(6H-N/4H-P/6H-P) | 오프액시스: 0 . 0 °- 8 . 0 °< 11 – 20 > 방향 ± 0 . 5° | ||
| 표면 방위(3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| 비저항 (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| 비저항 (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| 전면 | Si면: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| 후면 | C-Face: 광학 연마, Ra< 1 .0 nm | ||
| 레이저 마킹 | 뒷면 : C- 면 | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| 보우 | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| 워프 | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
고순도 반절연성(HPSI) 4H-SiC 초박형 웨이퍼의 사양
| HPSI 4H-SiC 초박형 웨이퍼 | |||
| 직경 | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| 치수 | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| 두께 | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| 표면 방위 | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| 주 플랫 방위 | < 1- 100> ±1° | ||
| 주 플랫 길이 | 16.0 mm | 32 .5mm | 노치 |
| 보조 플랫 방위 | 실리콘 면 위로: 주 플랫 기준 시계 방향 90.0 ˚ ± 5.0˚ | N/A | |
| 보조 플랫 길이 | 8mm | 18 mm | N/A |
| 비저항 | > 1 E7 Ω .cm | ||
| 표면 마감 | 연마, Ra≤ 10nm | 초박형, Ra<20nm | |
| 레이저 마킹 | 후면: C면 | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| 에지 제외 영역 | ≤ 3 mm |
SiC 단결정의 특성
| 탄화규소 단결정 | |
| 결정 구조 | 육방정 결정 |
| 밴드갭 (eV) | 3 .26 eV |
| 융점(℃) | 2730 ℃ |
| 모스 경도 (mohs) | 9.2 |
| 열전도율 (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| 열팽창 계수 (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| 격자 상수 (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| 전자 이동도 (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| 절연 파괴 전계 (MV· cm^-1) | 3.1 |
| JFM 지수 (출력) | 410 |
| BFM 지수 (SW) | 290 |
| BHFM 지수 (RF) | 34 |
| 굴절률 | 2.6767 ~ 2.6480 |
SiC 웨이퍼 견적 요청
치수, 결정 방위, 표면 가공, 수량을 보내주십시오. 당사 엔지니어가 기술 제안과 가격으로 회신합니다.
자주 묻는 질문
구매자 문의 사항
SiC 웨이퍼의 표면 방위는 어떻게 됩니까?
SiC 웨이퍼의 표면 방위는 오프액시스:<0001> 4 ° <11- 20> 방향 ± 0 . 5°입니다.
SiC 웨이퍼의 비저항은 어떻게 됩니까?
SiC 웨이퍼의 비저항은 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm입니다.
SiC 웨이퍼의 전면은 무엇입니까?
SiC 웨이퍼의 전면은 Si면 : CMP , Ra<0 . 2nm입니다.
SiC 웨이퍼의 후면은 무엇입니까?
SiC 웨이퍼의 후면은 C면: 광학 연마, Ra<0 . 5nm입니다.
SiC 웨이퍼 견적은 어떻게 요청할 수 있습니까?
수량, 사양, 도착항을 이메일 또는 전화로 Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd.에 보내주십시오. 본 사이트에는 문의 양식이 없으므로, 고객의 메시지는 접수 대기열이 아니라 엔지니어에게 직접 전달됩니다.
SiC 웨이퍼을(를) 맞춤 사양으로 제작할 수 있습니까?
맞춤 치수와 표면 가공은 고객의 도면 또는 서면 사양에 따라 건별로 견적합니다. 필요하신 사양을 보내주시면 발주 전에 공장에서 구현 가능한 범위와 공차를 확인해 드립니다.
SiC 웨이퍼 제조사는 어디입니까?
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd.는 OST Photonics라는 상호로 영업하며, 2010년부터 중국 저장성 자싱에서 제조하고 있습니다.