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Cintilador encapsulado

Substratos de SiC

O material de substrato de carboneto de silício (SiC) é um material essencial para apoiar o desenvolvimento da indústria de eletrónica de potência. De elevada pureza...

Substratos de SiC

O material de substrato de carboneto de silício (SiC) é um material essencial para apoiar o desenvolvimento da indústria de eletrónica de potência. O SiC semi-isolante de elevada pureza é utilizado sobretudo em aplicações de comunicação 5G. Oferece vantagens como a melhoria da gama de radiofrequência, o reconhecimento a distâncias ultralongas, a imunidade a interferências e a transmissão de informação de alta velocidade e grande capacidade, sendo considerado o materia...

  • FabricanteOST Photonics
  • CategoriaWafer e substrato de cristal
  • Prazo de entregaOrçamentado por encomenda
  • PersonalizaçãoDimensão, orientação e acabamento superficial conforme desenho

Substrato de SiC

O material de substrato de carboneto de silício (SiC) é um material essencial para apoiar o desenvolvimento da indústria de eletrónica de potência. O SiC semi-isolante de elevada pureza é utilizado sobretudo em aplicações de comunicação 5G. Oferece vantagens como a melhoria da gama de radiofrequência, o reconhecimento a distâncias ultralongas, a imunidade a interferências e a transmissão de informação de alta velocidade e grande capacidade, sendo considerado o material mais indicado para o fabrico de dispositivos de potência de micro-ondas. O SiC de tipo N é utilizado sobretudo em veículos de novas energias, subestações de transporte e transformação de alta tensão, eletrodomésticos de linha branca, comboios de alta velocidade, motores, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação por impulsos e outros domínios; apresenta vantagens como a redução das perdas energéticas do equipamento, o aumento da sua fiabilidade, a redução do seu volume e a melhoria do seu desempenho, possuindo vantagens insubstituíveis na produção de dispositivos eletrónicos de potência.

A OST Photonics fornece substratos de SiC (4H-SiC, 6H-SiC) de alta qualidade para investigadores e indústrias. A orientação cristalina, o tamanho e a espessura podem ser personalizados de acordo com os seus requisitos.

Características

  • Banda proibida larga (cerca de 3 vezes a do Si)
  • Elevada intensidade de campo crítico (cerca de 10 vezes a do Si)
  • Elevada condutividade térmica (cerca de 3 vezes a do Si)

Aplicações

  • Comunicação sem fios 5G
  • Dispositivo de potência de micro-ondas
  • Automóvel de nova energia
  • Fonte de alimentação pulsada
  • Inversor fotovoltaico

Capacidade de processamento

  • Orientação: <0001>,<0001>off 4°, etc.
  • Dimensão: 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc.
  • Espessura: 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm etc.
  • Artigos disponíveis: bolachas, substratos, blanks e ópticas personalizadas

Especificações e propriedades dos substratos de SiC (4H-SiC, 6H-SiC)

Estrutura cristalinaHexágono
Constante de redea=3.08 Å ,c=15.08 Å
Sequência de agrupamentoABCACB (6H), ABCBABCB (4H)
Banda proibida2.93 eV
Dureza9.2 Mohs
Condutividade térmica @300K5 W/cm.k
Constante dielétricae(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Tipo de condutorSIN
DopanteNão dopadoVanádioAzoto
Resistividade˃1×10^7 ohm.cm˃1×10^5 ohm.cm0.01-0.2 ohm.cm
Orientação<0001>, <0001>off 4°, etc.
Tolerância de orientação±0.5° ou melhor
Dimensão4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc.
Tolerância dimensional±0.1 mm ou melhor
Espessura0.33mm, 0.35mm, 0.5mm etc.
Tolerância de espessura±0.05 mm ou melhor
Acabamento superficialPolido de um lado (SSP)/polido dos dois lados (DSP)
Rugosidade superficialRa≤5Å (5µmx5µm)
EmbalagemSaco limpo de classe 100, sala superlimpa de classe 1000

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Envie-nos as suas dimensões, a orientação, o acabamento superficial e a quantidade. Os nossos engenheiros respondem com uma proposta técnica e um preço.

Perguntas frequentes

Perguntas dos compradores

Qual é a estrutura cristalina dos substratos SiC?
A estrutura cristalina dos substratos de SiC é Hexagonal.
Qual é a constante de rede dos substratos SiC?
A constante de rede dos substratos SiC é a=3.08 Å ,c=15.08 Å.
Qual é a sequência de ordenação dos substratos SiC?
A sequência de empilhamento dos substratos SiC é ABCACB (6H), ABCBABCB (4H).
Qual é o hiato de banda dos substratos SiC?
A banda proibida dos substratos de SiC é 2.93 eV.
Como posso solicitar um orçamento de Substratos SiC?
Envie a quantidade, a especificação e o seu porto de destino para a Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd. por email ou telefone. Este site não tem formulário de consulta, pelo que a sua mensagem chega diretamente a um engenheiro e não a uma fila de contactos.
É possível fabricar substratos de SiC conforme uma especificação personalizada?
As dimensões e os acabamentos personalizados são orçamentados caso a caso com base no seu desenho ou especificação escrita. Envie o que necessita e a fábrica confirmará o que é exequível, e com que tolerância, antes de efetuar a encomenda.
Quem fabrica os substratos de SiC?
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd., que opera sob a designação OST Photonics, fabrica em Jiaxing, Zhejiang, China desde 2010.

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