Oblea de SiC
OST Photonics ofrece obleas de SiC para la industria de semiconductores. Puede elegir entre dos tipos de conducción de materiales de SiC: 4H-SiC de tipo N...
Oblea de SiC
OST Photonics ofrece obleas de SiC para la industria de semiconductores. Puede elegir entre dos tipos de conducción de materiales SiC: 4H-SiC de tipo N (tipo de conductividad) y 4H-SiC semiaislante de alta pureza (HPSI). Las obleas de SiC semiaislante de alta pureza se utilizan principalmente en aplicaciones de comunicación 5G. Presentan las ventajas de mejorar el rango de radiofrecuencia, el reconocimiento a distancias muy largas, la inmunidad a interferencias, la alta velocidad...
- FabricanteOST Photonics
- CategoríaOblea y sustrato de cristal
- Plazo de entregaSe presupuesta por pedido
- PersonalizaciónTamaño, orientación y acabado superficial según plano
OST Photonics ofrece obleas de SiC para la industria de semiconductores. Puede elegir entre dos tipos de conducción de materiales SiC: 4H-SiC de tipo N (tipo de conductividad) y 4H-SiC semiaislante de alta pureza (HPSI). Las obleas de SiC semiaislante de alta pureza se utilizan principalmente en aplicaciones de comunicación 5G. Presentan las ventajas de mejorar el rango de radiofrecuencia, el reconocimiento a distancias muy largas, la inmunidad a interferencias y la transmisión de información de alta velocidad y gran capacidad, y se consideran el material más idóneo para fabricar dispositivos de potencia de microondas. La oblea de SiC de tipo N se utiliza principalmente en vehículos de nueva energía, subestaciones de transmisión y transformación de alta tensión, electrodomésticos de línea blanca, trenes de alta velocidad, motores, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación pulsadas y otros campos; presenta las ventajas de reducir las pérdidas energéticas del equipo, mejorar su fiabilidad, reducir su volumen y mejorar su rendimiento, entre otras, y ofrece ventajas insustituibles en la producción de dispositivos electrónicos de potencia.
Especificaciones de las obleas de 4H-SiC de tipo N (tipo de conductividad)
| Obleas de 4H-SiC de tipo N (tipo de conductividad) | ||||
| Diámetro | 2”-50 .8 mm | 4″- 100.0 mm | 6″- 150.0 mm | 8”-200.0 mm |
| Espesor | 350μm（DSP） | 500μm（DSP） | ||
| Orientación superficial | Fuera de eje:<0001> 4 ° hacia <11- 20> ± 0 . 5° | |||
| Orientación del plano primario | Paralelo a <1 1 -20 > ±1 ° | < 1-100> ± 1 ° | ||
| Longitud del plano primario | 16.0 mm | 32 . 5 mm | 47.5mm | Muesca |
| Orientación del plano secundario | Cara de silicio hacia arriba: 90.0 ˚ en sentido horario desde el primario ± 5.0˚ | N/A | N/A | |
| Longitud del plano secundario | N/A | 18.0 mm | N/A | N/A |
| Resistividad | 0 . 014 ~ 0 . 028 Ω . cm | |||
| Cara frontal | Cara Si : CMP , Ra<0 . 2nm | |||
| Cara posterior | C-Face : pulido óptico, Ra<0 . 5nm | |||
| Marcado láser | Cara posterior : cara C | |||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| COMBADO | ≤ 25 μm | ≤ 30μm | ≤40 μm | ≤ 60μm |
| ALABEO | ≤ 30μm | ≤ 40 μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| Exclusión de borde | ≤ 3 mm |
Especificaciones de las obleas de 4H-SiC semiaislante de alta pureza (HPSI)
| Obleas 4H-SiC semiaislantes de alta pureza (HPSI) | |||||
| Diámetro | 2”- 50 .8mm | 3”- 76.2 mm | 4”- 100mm | 6”-150mm | 8”-200mm |
| Espesor | 500μ m (DSP) | ||||
| Orientación superficial | <0001> ± 0 . 25 ° | ||||
| Orientación del plano primario | < 1- 100 > ±1° | ||||
| Longitud del plano primario | 16.0 mm | 22.0mm | 32 .5mm | Muesca | Muesca |
| Orientación del plano secundario | Cara de silicio hacia arriba: 90.0 ˚ en sentido horario desde el primario ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| Longitud del plano secundario | 8mm | 11mm | 18 mm | N/A | N/A |
| Resistividad | > 1 E7 Ω .cm | ||||
| Cara frontal | Cara Si: CMP, Ra<0 . 2nm | ||||
| Cara posterior | C-Face：CMP,Ra<0.2nm | C-Face pulido.Ra＜5nm | |||
| Marcado láser | Cara posterior: cara C | ||||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| COMBADO | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤30μm | ≤45 μm | ≤ 65μm |
| ALABEO | ≤ 30μm | ≤35μm | ≤40 μm | ≤60μm | ≤70 μm |
| Exclusión de borde | ≤ 3 mm |
Especificaciones de las obleas de SiC de politipos especiales
| Obleas de SiC de politipos especiales (6H-N/4H-P/6H-P/3C-N) | |||
| Dimensiones | 10 * 10 mm | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm |
| Espesor | 350μm(DSP) | ||
| Politipo | 6H/4H-P/6 H-P/3C-N | ||
| Orientación superficial (6H-N/4H-P/6H-P) | Fuera de eje: 0 . 0 °- 8 . 0 °hacia < 11 – 20 > ± 0 . 5° | ||
| Orientación superficial (3C-N) | On axis : <0001 > ± 0 . 5 ° | ||
| Resistividad (6H-N/4H-P/6H-P) | ≤ 0 . 5 Ω · cm | ||
| Resistividad (3C-N) | ≤ 1 . 0 mΩ · cm | ||
| Cara frontal | Cara Si: CMP, Ra<0 . 5nm | ||
| Cara posterior | C-Face: pulido óptico, Ra< 1 .0 nm | ||
| Marcado láser | Cara posterior : cara C- | ||
| TTV | ≤ 5 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m |
| COMBADO | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m | ≤ 25 μm |
| ALABEO | ≤ 30μ m | ≤ 30μ m | ≤ 40 μ m |
Especificaciones de las obleas ultrafinas de 4H-SiC semiaislante de alta pureza (HPSI)
| Oblea ultrafina HPSI 4H-SiC | |||
| Diámetro | 2”- 50 .8mm | 4”- 100mm | 6”- 150mm |
| Dimensiones | 50.8*50.8mm/76.2*76.2mm/100*100mm | ||
| Espesor | 150μ m /200μ m /250μ m /350μ m | ||
| Orientación superficial | {0001} ± 0 . 25 ° | ||
| Orientación del plano primario | < 1- 100> ±1° | ||
| Longitud del plano primario | 16.0 mm | 32 .5mm | Muesca |
| Orientación del plano secundario | Cara de silicio hacia arriba: 90.0 ˚ en sentido horario desde el primario ± 5.0˚ | N/A | |
| Longitud del plano secundario | 8mm | 18 mm | N/A |
| Resistividad | > 1 E7 Ω .cm | ||
| Acabado superficial | Pulido, Ra≤ 10nm | Ultrafino, Ra<20nm | |
| Marcado láser | Cara posterior: cara C | ||
| TTV | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30μm |
| Exclusión de borde | ≤ 3 mm |
Propiedades del monocristal de SiC
| Monocristal de carburo de silicio | |
| Estructura cristalina | Cristal hexagonal |
| Banda prohibida (eV) | 3 .26 eV |
| Punto de fusión (℃) | 2730 ℃ |
| Dureza Mohs (mohs) | 9.2 |
| Conductividad térmica (W·cm^-1· ℃^-1) | 4. 9 W·cm^-1· ℃^-1 |
| Coeficiente de dilatación térmica (℃^-1) | 4.7 x 10^-6 |
| Constante de red (nm) | a ＝0 .3076 c ＝ 0 .5048 |
| Movilidad electrónica (cm^-2.V^-1.s^-1) | 720^a 650^c |
| Campo disruptivo (MV· cm^-1) | 3.1 |
| Índice JFM (potencia) | 410 |
| Índice BFM (SW) | 290 |
| Índice BHFM (RF) | 34 |
| Índice de refracción | 2.6767 ~ 2.6480 |
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