No. 66, 8 group, Chengbei Village, Yanguan Town, Jiaxing 314411, China
Герметизированный сцинтиллятор

Подложки SiC

Подложечный материал из карбида кремния (SiC) необходим для развития силовой электроники. Высокой чистоты...

Подложки SiC

Подложечный материал из карбида кремния (SiC) — необходимый материал для развития отрасли силовой электроники. Высокочистый полуизолирующий SiC применяется главным образом в приложениях связи 5G. Он обеспечивает расширение радиочастотного диапазона, распознавание на сверхбольших расстояниях, помехоустойчивость, а также высокоскоростную передачу информации большого объёма и считается наиболее подходящим материа...

  • ИзготовительOST Photonics
  • КатегорияКристаллические пластины и подложки
  • Срок поставкиОпределяется по каждому заказу
  • ИзготовлениеРазмер, ориентация и обработка поверхности по чертежу

Подложка SiC

Подложечный материал из карбида кремния (SiC) — необходимый материал для развития отрасли силовой электроники. Высокочистый полуизолирующий SiC применяется главным образом в приложениях связи 5G. Он обеспечивает расширение радиочастотного диапазона, распознавание на сверхбольших расстояниях, помехоустойчивость, а также высокоскоростную передачу информации большого объёма и считается наиболее подходящим материалом для изготовления СВЧ-приборов большой мощности. SiC n-типа применяется главным образом в электромобилях на новых источниках энергии, высоковольтных передающих и трансформаторных подстанциях, бытовой технике, высокоскоростных поездах, электродвигателях, фотоэлектрических инверторах, импульсных источниках питания и других областях; он снижает энергопотери оборудования, повышает его надёжность, уменьшает габариты и улучшает характеристики, обладая незаменимыми преимуществами при производстве силовых электронных приборов.

OST Photonics поставляет высококачественные подложки SiC (4H-SiC, 6H-SiC) для исследователей и промышленности. Ориентация кристалла, размер и толщина могут быть изготовлены по вашим требованиям.

Особенности

  • Широкая запрещённая зона (примерно в 3 раза больше, чем у Si)
  • Высокая критическая напряжённость поля (примерно в 10 раз выше, чем у Si)
  • Высокая теплопроводность (примерно в 3 раза выше, чем у Si)

Области применения

  • Беспроводная связь 5G
  • СВЧ-прибор большой мощности
  • Автомобили на новых источниках энергии
  • Импульсный источник питания
  • Фотоэлектрический инвертор

Производственные возможности

  • Ориентация: <0001>,<0001>off 4° и др.
  • Размер: 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc.
  • Толщина: 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm и т. д.
  • Доступные позиции: пластины, подложки, заготовки и оптика по индивидуальному заказу

Технические характеристики и свойства подложек SiC (4H-SiC, 6H-SiC)

Кристаллическая структураШестиугольник
Постоянная решёткиa=3.08 Å ,c=15.08 Å
Последовательность формированияABCACB (6H), ABCBABCB (4H)
Ширина запрещённой зоны2.93 eV
Твёрдость9.2 Mohs
Теплопроводность @300K5 W/cm.k
Диэлектрическая проницаемостьe(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Тип проводникаSIN
Легирующая добавкаНелегированныйВанадийАзот
Удельное сопротивление˃1×10^7 ohm.cm˃1×10^5 ohm.cm0.01-0.2 ohm.cm
Ориентация<0001>, <0001>off 4°, etc.
Допуск по ориентации±0.5° или точнее
Размер4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm и т. д.
Допуск по размерам±0.1 mm или точнее
Толщина0.33mm, 0.35mm, 0.5mm и т.д.
Допуск по толщине±0.05 mm или точнее
Обработка поверхностиПолировка с одной стороны (SSP)/полировка с двух сторон (DSP)
Шероховатость поверхностиRa≤5Å (5µmx5µm)
УпаковкаЧистый пакет класса 100, сверхчистое помещение класса 1000

Запросить цену: Подложки SiC

Пришлите нам размеры, ориентацию, обработку поверхности и количество. Наши инженеры отвечают техническим предложением и ценой.

Частые вопросы

Вопросы покупателей

Какова кристаллическая структура подложек SiC?
Кристаллическая структура подложек SiC — гексагональная.
Какова постоянная решётки подложек SiC?
Постоянная решётки подложек SiC — a=3.08 Å ,c=15.08 Å.
Какова последовательность упорядочения подложек SiC?
Последовательность укладки подложек SiC — ABCACB (6H), ABCBABCB (4H).
Какова ширина запрещённой зоны подложек SiC?
Ширина запрещённой зоны подложек SiC составляет 2.93 eV.
Как получить коммерческое предложение на Подложки SiC?
Направьте количество, спецификацию и порт назначения в Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd. по электронной почте или телефону. На этом сайте нет формы запроса, поэтому ваше сообщение попадает напрямую к инженеру, а не в очередь обращений.
Возможно ли изготовление по индивидуальному заказу: Подложки SiC?
Нестандартные размеры и виды обработки поверхности рассчитываются индивидуально по вашему чертежу или письменной спецификации. Пришлите свои требования, и завод подтвердит, что выполнимо и с каким допуском, до размещения заказа.
Кто производит подложки SiC?
Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd., работающая под маркой OST Photonics, производит продукцию в Цзясине, провинция Чжэцзян, Китай, с 2010 года.

Расскажите, что вам нужно

Пришлите спецификацию, количество и порт назначения. Наши инженеры отвечают техническим предложением и подтверждённым сроком поставки.