SiC-Substrate
Substratmaterial aus Siliziumcarbid (SiC) ist ein unverzichtbares Material für die Entwicklung der Leistungselektronikindustrie. Hochrein...
SiC-Substrate
Siliziumkarbid-Substratmaterial (SiC) ist ein unverzichtbares Material für die Entwicklung der Leistungselektronikindustrie. Hochreines halbisolierendes SiC wird vor allem in 5G-Kommunikationsanwendungen eingesetzt. Es bietet Vorteile wie einen erweiterten Hochfrequenzbereich, Erkennung über ultragroße Entfernungen, Störfestigkeit sowie schnelle Informationsübertragung mit hoher Kapazität und gilt als das idealste Materia...
- HerstellerOST Photonics
- KategorieKristallwafer und Substrat
- LieferzeitWird je Auftrag angegeben
- AnpassungGröße, Orientierung und Oberflächengüte nach Zeichnung
SiC-Substrat
Siliziumkarbid-Substratmaterial (SiC) ist ein unverzichtbares Material für die Entwicklung der Leistungselektronikindustrie. Hochreines halbisolierendes SiC wird vor allem in 5G-Kommunikationsanwendungen eingesetzt. Es bietet Vorteile wie einen erweiterten Hochfrequenzbereich, Erkennung über ultragroße Entfernungen, Störfestigkeit sowie schnelle Informationsübertragung mit hoher Kapazität und gilt als das idealste Material für die Herstellung von Mikrowellen-Leistungsbauelementen. SiC vom N-Typ wird vor allem in Fahrzeugen mit neuen Energien, Hochspannungs-Übertragungs- und Umspannwerken, Weißer Ware, Hochgeschwindigkeitszügen, Motoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, Impulsstromversorgungen und weiteren Bereichen eingesetzt; es bietet Vorteile wie geringere Energieverluste der Anlagen, höhere Zuverlässigkeit, kleinere Bauvolumen und bessere Geräteleistung und besitzt bei der Herstellung leistungselektronischer Bauelemente unersetzliche Vorteile.
OST Photonics liefert hochwertige SiC-Substrate (4H-SiC, 6H-SiC) für Forschung und Industrie. Kristallorientierung, Größe und Dicke können nach Ihren Anforderungen gefertigt werden.
Merkmale
- Große Bandlücke (etwa das 3-Fache von Si)
- Hohe kritische Feldstärke (etwa das 10-fache von Si)
- Hohe Wärmeleitfähigkeit (etwa das 3-Fache von Si)
Anwendungen
- 5G-Funkkommunikation
- Mikrowellen-Leistungsbauelement
- Fahrzeuge mit neuen Energien
- Gepulste Stromversorgung
- Photovoltaik-Wechselrichter
Fertigungsmöglichkeiten
- Orientierung: <0001>,<0001>off 4° usw.
- Abmessung: 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc.
- Dicke: 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm usw.
- Verfügbare Artikel: Wafer, Substrate, Rohlinge und kundenspezifische Optiken
Spezifikation und Eigenschaften von SiC-Substraten (4H-SiC, 6H-SiC)
| Kristallstruktur | Sechseck | ||
| Gitterkonstante | a=3.08 Å ,c=15.08 Å | ||
| Anordnungsfolge | ABCACB (6H), ABCBABCB (4H) | ||
| Bandlücke | 2.93 eV | ||
| Härte | 9.2 Mohs | ||
| Wärmeleitfähigkeit @300K | 5 W/cm.k | ||
| Dielektrizitätskonstante | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 | ||
| Leitertyp | SI | N | |
| Dotierstoff | Undotiert | Vanadium | Stickstoff |
| Spezifischer Widerstand | ˃1×10^7 ohm.cm | ˃1×10^5 ohm.cm | 0.01-0.2 ohm.cm |
| Orientierung | <0001>, <0001>off 4°, etc. | ||
| Orientierungstoleranz | ±0.5° oder besser | ||
| Abmessung | 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm usw. | ||
| Maßtoleranz | ±0.1 mm oder besser | ||
| Dicke | 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm usw. | ||
| Dickentoleranz | ±0.05 mm oder besser | ||
| Oberflächengüte | Einseitig poliert (SSP)/beidseitig poliert (DSP) | ||
| Oberflächenrauheit | Ra≤5Å (5µmx5µm) | ||
| Verpackung | Reinbeutel der Klasse 100, Reinstraum der Klasse 1000 |
Weitere Werkstoffe für Kristallwafer und Substrate
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Fragen von Einkäufern
Welche Kristallstruktur haben die SiC-Substrate?
Wie lautet die Gitterkonstante der SiC-Substrate?
Wie lautet die Anordnungsfolge der SiC-Substrate?
Welchen Bandabstand haben die SiC-Substrate?
Wie erhalte ich ein Angebot für SiC Substrate?
Ist es möglich, SiC-Substrate nach kundenspezifischen Vorgaben zu fertigen?
Wer stellt die SiC-Substrate her?
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