Sustratos de SiC
El material de sustrato de carburo de silicio (SiC) es un material esencial para respaldar el desarrollo de la industria de la electrónica de potencia. De alta pureza...
Sustratos de SiC
El material de sustrato de carburo de silicio (SiC) es un material esencial para respaldar el desarrollo de la industria de la electrónica de potencia. El SiC semiaislante de alta pureza se utiliza principalmente en aplicaciones de comunicación 5G. Ofrece ventajas como la mejora del rango de radiofrecuencia, el reconocimiento a distancias ultralargas, la inmunidad a interferencias y la transmisión de información de alta velocidad y gran capacidad, y se considera el materia...
- FabricanteOST Photonics
- CategoríaOblea y sustrato de cristal
- Plazo de entregaSe presupuesta por pedido
- PersonalizaciónTamaño, orientación y acabado superficial según plano
Sustrato de SiC
El material de sustrato de carburo de silicio (SiC) es un material esencial para respaldar el desarrollo de la industria de la electrónica de potencia. El SiC semiaislante de alta pureza se utiliza principalmente en aplicaciones de comunicación 5G. Ofrece ventajas como la mejora del rango de radiofrecuencia, el reconocimiento a distancias ultralargas, la inmunidad a interferencias y la transmisión de información de alta velocidad y gran capacidad, y se considera el material más idóneo para fabricar dispositivos de potencia de microondas. El SiC de tipo N se utiliza principalmente en vehículos de nueva energía, subestaciones de transmisión y transformación de alta tensión, electrodomésticos de línea blanca, trenes de alta velocidad, motores, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación de impulsos y otros campos; aporta ventajas como la reducción de las pérdidas energéticas del equipo, la mejora de su fiabilidad, la reducción de su volumen y la mejora de sus prestaciones, y presenta ventajas insustituibles en la producción de dispositivos electrónicos de potencia.
OST Photonics ofrece sustratos de SiC (4H-SiC, 6H-SiC) de alta calidad para investigadores e industrias. La orientación cristalina, el tamaño y el espesor pueden personalizarse según sus requisitos.
Características
- Banda prohibida amplia (unas 3 veces la del Si)
- Alta intensidad de campo crítico (unas 10 veces la del Si)
- Alta conductividad térmica (unas 3 veces la del Si)
Aplicaciones
- Comunicación inalámbrica 5G
- Dispositivo de potencia de microondas
- Automóvil de nueva energía
- Fuente de alimentación pulsada
- Inversor fotovoltaico
Capacidad de procesamiento
- Orientación: <0001>,<0001>off 4°, etc.
- Dimensión: 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc.
- Espesor: 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm etc.
- Artículos disponibles: obleas, sustratos, preformas y ópticas personalizadas
Especificaciones y propiedades de los sustratos de SiC (4H-SiC, 6H-SiC)
| Estructura cristalina | Hexágono | ||
| Constante de red | a=3.08 Å ,c=15.08 Å | ||
| Secuencia de agrupación | ABCACB (6H), ABCBABCB (4H) | ||
| Banda prohibida | 2.93 eV | ||
| Dureza | 9.2 Mohs | ||
| Conductividad térmica @300K | 5 W/cm.k | ||
| Constante dieléctrica | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 | ||
| Tipo de conductor | SI | N | |
| Dopante | Sin dopar | Vanadio | Nitrógeno |
| Resistividad | ˃1×10^7 ohm.cm | ˃1×10^5 ohm.cm | 0.01-0.2 ohm.cm |
| Orientación | <0001>, <0001>off 4°, etc. | ||
| Tolerancia de orientación | ±0.5° o mejor | ||
| Dimensión | 4”, 6”, 20x20mm, 15x15mm, 10x10mm, 5x5mm etc. | ||
| Tolerancia dimensional | ±0.1 mm o mejor | ||
| Espesor | 0.33mm, 0.35mm, 0.5mm etc. | ||
| Tolerancia de espesor | ±0.05 mm o mejor | ||
| Acabado superficial | Pulido por una cara (SSP)/pulido por ambas caras (DSP) | ||
| Rugosidad superficial | Ra≤5Å (5µmx5µm) | ||
| Embalaje | Bolsa limpia de clase 100, sala superlimpia de clase 1000 |
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Preguntas de los compradores
¿Cuál es la estructura cristalina de los sustratos SiC?
¿Cuál es la constante de red de los sustratos SiC?
¿Cuál es la secuencia de ordenación de los sustratos SiC?
¿Cuál es la banda prohibida de los sustratos SiC?
¿Cómo puedo solicitar un presupuesto de Sustratos SiC?
¿Es posible fabricar sustratos de SiC según una especificación personalizada?
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