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基板材料リスト

種類 高温超伝導（HTS）薄膜用基板 磁性・強誘電体薄膜用基板 GaNエピタキシャル薄膜用基板...

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基板材料リスト

種類 高温超伝導 (HTS) 薄膜基板 磁性・強誘電体薄膜基板 GaN エピタキシャル薄膜基板 半導体基板 ハロゲン化物結晶基板 材料 LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , MgO , YSZ, KTaO3, SrLaAlO4, YAlO3, MgAl2O4 LaAlO3 , LSAT, SrTiO3 , Nb:SrTiO3, Fe:SrTiO3, Nd:SrTiO3, Al2O3 , MgAl2O4 , GGG , TiO2, TGG Al2O3 , Si, GaAs, LiAlO2, MgAl2O4 , SiC, ZnO, GaN Si, Ge,...

  • 製造元OST Photonics
  • カテゴリー結晶ウェハおよび基板
  • 納期ご注文ごとに提示
  • カスタマイズ図面に基づくサイズ、結晶方位、表面仕上げ

OST Photonicsは、研究機関および産業界向けにあらゆる種類の単結晶材料と基板をご提供しています。ご提供可能な材料は下表のとおりです。

(1) 高温超伝導（HTS）薄膜用基板

材料構造結晶方位融点密度硬度屈折率熱膨張係数（/K）誘電率最大サイズ標準サイズ
LaAlO3≈Cubica=3.821Å<100><110><111>2100℃6.52 g/cm36.5 Mohs1.809.2 x 10^-624.5Φ3″Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7Cubica=3.868Å<100><110><111>1840℃6.74 g/cm36.5 Mohs10 x 10^-622Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
MgOCubica=4.216Å<100><110><111>2852℃3.58 g/cm35.5~6 Mohs1.5812.8 x 10^-69.8050 x 50 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
YSZCubicc=5.125Å<100><110><111>2500℃5.80 g/cm37 Mohs1.9610.3 x 10^-627Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
KTaO3Cubica=3.984Å<100><110><111>1352℃7.03 g/cm36 Mohs2.004.03 x 10^-620 x 20 mm20 x 20 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
SrLaAlO4M4a=3.756Åc=12.63Å<001>1650℃5.92 g/cm36 Mohs<100> 10.05 x 10^-6<001> 18.9 x 10^-616.8Φ20 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
YAlO3斜方晶a=5.1796Åb=5.3286Åc=7.3706Å<100><010><001>1870℃5.37 g/cm38.5 Mohs4.2 x 10^-6//a 11.7 x 10^-6//b5.1 x 10^-6//cΦ30 mm10 x 10 x 0.5 mmΦ30 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs1.719.65Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm

(2) 磁性・強誘電体薄膜用基板

材料構造結晶方位融点密度硬度屈折率熱膨張係数（/K）誘電率最大サイズ標準サイズ
LaAlO3≈Cubica=3.821Å<100><110><111>2100℃6.52 g/cm36.5 Mohs1.809.2 x 10^-624.5Φ3″Φ3″ x 0.5 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7Cubica=3.868Å<100><110><111>1840℃6.74 g/cm36.5 Mohs10 x 10^-622Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
Nb:SrTiO3Fe:SrTiO3Nd:SrTiO3Cubica=3.90Å<100><110><111>2050℃5.175 g/cm36 Mohs2.40910.4 x 10^-6300Φ30 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
Al2O3M6a=4.758Åc=12.99Å<0001><11-20><10-10><1-102>2040℃3.97 g/cm39 Mohs1.777.50 x 10^-6[email protected]@C-axisΦ180 mmΦ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs1.717.45 x 10^-6Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
GGGCubica=12.37Å<100><110><111>1860℃7.05 g/cm36~7 Mohs1.95Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
TiO2M4a=4.593Åc=2.958Å<100><001><110><111>1840℃4.26 g/cm37 Mohs2.72Φ23~25 mm10 x 10 x 0.5 mm10 x 5 x 0.5 mm
TGGCubica=12.355Å<100><110><111>1725℃7.13 g/cm38 Mohs1.954Φ30 mmΦ30 x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm5 x 5 x 10 mm

(3) GaNエピタキシャル薄膜用基板

材料構造結晶方位融点密度硬度熱膨張係数（/K）GaNに対する格子不整合最大サイズ標準サイズ
Al2O3M6a=4.758Åc=12.99Å<0001><11-20><10-10><1-102>2040℃3.97 g/cm39 Mohs7.50 x 10^-616.1%@<0001>Φ180 mmΦ50.8 x 0.5 mmΦ100 x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm
SiCubica=5.0430Å<100><110><111>1415℃2.33 g/cm35.5~6 Mohs2.59 x 10^-620.5%@<111>50 x 50 mmΦ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
GaAsCubica=5.653Å<100>1238℃5.31 g/cm36.5 Mohs5.75 x 10^-619.9%@<111>Φ4″Φ4″ x 0.625mmΦ2″ x 0.35mm
LiAlO2M4a=5.17Åc=6.26Å<100><001><110><111>1900℃2.62 g/cm37.5 Mohs7.1 x 10^-61.4%@<100>Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
MgAl2O4Cubica=8.083Å<100><110><111>2130℃3.60 g/cm37.5~8 Mohs7.45 x 10^-69%@<111>Φ2″Φ2″ x 0.5 mm10 x 10 x 0.5 mm
SiCM6a=3.080Åc=15.12Å<0001><11-20><10-10>2830℃3.217 g/cm39.2 Mohs4.2 x 10^-6@c3.5%@<0001>Φ4″Φ2″ x 0.33 mm10 x 10 x 0.33 mm
ZnOM6a=3.325Åc=5.213Å<0001><11-20><10-10>1975℃5.605 g/cm34.5 Mohs2.92 x 10^-6@c2.0%@<0001>Φ25 mm10 x 10 x 0.5 mm20 x 20 x 0.5 mm
GaNM6a=0.3189Åc=0.5186Å<0001>1700℃6.1 g/cm38 Mohs3.17 x 10^[email protected] x 10^-6@a0%@<0001>Φ2″Φ2″ x 0.3 mm10 x 10 x 0.3 mm

(4) 半導体基板

材料構造結晶方位融点密度バンドギャップ導電型ドーパント抵抗率最大サイズ標準サイズ
SiCubica=5.0430Å<100><110><111>1415℃2.33 g/cm31.124 evNまたはP無添加>1000 Ώ.cmΦ6″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm
NP0.001~40 Ώ.cm
PB100~10000 Ώ.cm
GeCubica=5.6575Å<100><110><111>937.4℃5.323 g/cm30.66 ev/無添加>30 Ώ.cmΦ4″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mmΦ4″ x 0.5 mm
NSb0.01~30 Ώ.cm
PInまたはGa0.01~30 Ώ.cm
GaAsCubica=5.653Å<100>1238℃5.31 g/cm31.424 evN無添加>10^7 Ώ.cmΦ4″Φ2″ x 0.35 mmΦ4″ x 0.625 mm
Si<0.1 Ώ.cm
InPCubica=5.869Å<100>1600℃4.79 g/cm31.344 evN無添加Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
S または Fe
PZn
InAsCubica=6.058Å<100>942℃5.66 g/cm30.45 evN無添加Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
S または Sn
PZn
GaSbCubica=6.094Å<100>712℃5.53 g/cm30.67 evP無添加Φ3″Φ2″ x 0.5 mmΦ3″ x 0.5 mm
Zn
NTe

(5) ハロゲン化物結晶基板

材料構造結晶方位融点密度透過範囲標準サイズ
NaClCubica=5.642Å<100><110><111>804℃2.16 g/cm30.26~22 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm
KClCubica=6.291Å<100><110><111>770℃1.98 g/cm30.20~27.5 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm
KBrCubica=5.596Å<100><110><111>734℃2.75 g/cm30.20~34 um10 x 10 x 2.0 mm20 x 20 x 2.0 mm

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Jiaxing AOSITE Photonics Technology Co.,Ltd.は、OST Photonicsの名称で事業を行い、2010年より中国浙江省嘉興市で製造しています。

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